存储超级周期“更高更长”！A股六大千亿龙头齐创历史新高

美东时间6月24日盘后，存储巨头美光科技交出的一份“炸裂”财报，点燃了全球存储板块的做多热情。财报显示，美光2026财年第三季度营收高达414.6亿美元，同比增长近346%，净利润282.4亿美元，同比增幅高达1398.3%，毛利率达到84.9%，三项核心指标均创单季历史新高。财报发布后，美光盘后股价一度大涨超16%。

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报电话会上明确表示，当前DRAM与NAND闪存行业需求持续大幅高于行业供给，“受全产业链人工智能需求叠加供给端结构性约束影响，预计供需紧张格局将持续至2027自然年之后。”三星方面同样认为，客户已开始预定2027年产能，2027年供需缺口将进一步扩大。英伟达创始人黄仁勋此前也直言，存储供应短缺远未结束，整个行业供应链从晶圆制造到封装测试均陷入供给紧张，这一状况还将持续数年。

供给端的瓶颈主要来自晶圆产能的结构性错配。三大存储原厂已将70%至80%的先进制程产能倾斜至HBM和高端服务器DDR5内存，普通电脑使用的DDR5内存颗粒和消费级SSD供货量断崖式下滑。单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8至10倍，NAND消耗达到普通主机的3倍。在AI需求近乎“吞噬”新增产能的背景下，车载和消费电子等领域面临严重的供给挤压，车规级存储芯片近3个月整体价格涨幅约达180%。

受美光财报超预期催化，6月25日A股存储芯片板块全线爆发。兆易创新、江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创、普冉股份等六只市值超千亿的存储龙头股同步冲高，股价悉数创下上市以来历史新高。日韩市场同样被点燃，SK海力士盘中一度涨超10%，三星电子涨超6%，铠侠涨超9%。

摩根大通近日发布研报表示，本轮存储超级周期将“更高、更长”，存储正从传统的周期性大宗商品向AI基础设施的战略核心资产转型。摩根大通将2026至2028年全球存储市场总规模预测上调37%至53%，预计2028年将达1.7万亿美元，其中DRAM市场收入预计从2025年的1430亿美元跃升至2026年的6360亿美元，NAND市场同期从710亿美元增至4545亿美元。招商证券指出，当前具备约束力的长协订单持续落地，为存储企业的业绩能见度与增长确定性提供显著保障，存储供需缺口或将持续至2027年乃至更久。

AI算力指数级提升，正在倒逼存储技术加速迭代。HBM作为决定算力上限的战略级资源，其出货量从2025年一季度不足500MU预计增至2026年四季度的约1400MU，且正加速从HBM3E向性能更强、晶圆消耗量更大的HBM4/5迭代。由于HBM相同位元产出下消耗的晶圆数量是普通DRAM的2至3倍，三大原厂正全力推进先进制程转产和晶圆产能扩产。

与此同时，一种名为高带宽闪存（HBF）的全新技术正在崛起。HBF由闪迪于2025年正式发布，通过垂直堆叠3D NAND晶圆并利用TSV技术融为一体，单颗芯片容量可达当前主流HBM的8至16倍，而单位容量成本远低于HBM，被视为紧贴AI加速芯片的“超大容量高速硬缓存层”。2026年4月，SK海力士与闪迪共同发起HBF规格标准化联盟，正式启动全球标准化进程，闪迪计划2026年下半年交付样品、2027年实现量产。

DRAM技术本身也在向三维方向演进。随着传统2D平面微缩逼近物理极限，垂直栅极和3D DRAM被提出以解决技术瓶颈，但短期来看，以HBM为代表的先进封装方案仍是解决“内存墙”问题的主流路径。

在海外原厂全力聚焦HBM、DDR5等高附加值AI产品、战略性退出传统存量市场的背景下，国产存储产业链迎来了宝贵的导入窗口期。

市占率方面，根据IDC数据，长江存储在NAND全球市占率从2025年四季度的5.1%增至2026年一季度的6.8%，长鑫存储在DRAM全球市占率从6.4%提升至7.5%。与此同时，国产模组厂商通过进入企业级、中高端手机等市场实现规模跃升。江波龙2025年营收达227.66亿元，已超过传统优势龙头台湾群联电子；佰维存储与德明利借上行周期实现营收倍增。江波龙近期已与长江存储、长鑫存储等国内外晶圆厂建立了长期、深度的战略合作关系。佰维存储签订的长期采购合同总计承诺采购金额达15亿美元，承诺采购期至2028年3月末。联芸科技作为独立第三方主控芯片龙头，2025年SSD主控出货量已达约6000万颗，占独立第三方市场约30%，位居全球第二。

利润端更为惊人。长鑫科技（长鑫存储主体）科创板IPO招股说明书显示，2026年一季度营收达508亿元，同比增长719%，归母净利润高达247.62亿元，同比增长1688%，同比扭亏为盈，单季度盈利规模已跻身A股前五。公司预计2026年上半年营收1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元。

海外存储原厂正在加速退出2D NAND与DDR4等存量市场。三星2026年3月关停了华城园区12号产线这一最后一处2D NAND生产基地，将其转型为先进DRAM后端工厂。铠侠于2026年3月向客户发布停产通知，覆盖32/24/15nm全制程的SLC/MLC/TLC产品，2029年起正式退出2D NAND市场。美光、SK海力士同样跟进削减2D NAND产能。DDR4方面，三大原厂将产能全部转向DDR5与HBM，DDR4现货价已出现价格倒挂现象，一度高于DDR5达30%。

在这一背景下，国产利基存储厂商有望填补2D NAND在工控、车载及网通等长周期刚性需求市场，以及国内信创、存量服务器及消费级DDR4的需求红利。当前SLC NAND部分供应仍紧张，2Gb价格已从2025年的0.45美元涨至2026年一季度的超过2美元，预计二季度将上看3.5至4美元。

AI需求推升存储需求，海外原厂聚焦高附加值服务器产品，需求外溢及国产化需求打开国内企业级窗口及手机品牌渗透率提升机遇。随着产业链分工重构，国产存储厂商在上行周期中有望实现“利润增长—客户加速导入—产品结构升级”的正向循环。海外厂商退出，国产利基存储厂商有望填补2D NAND和利基DRAM等市场的需求红利。当前行业景气度持续。